Gibt's denn auch schon einen Prototyp?
Das ganze da sieht sehr nach PSpice aus und zwischen der PSpice-Welt :mrgreen: und der Realität gibt's doch noch ein paar (in seltenen Fällen sehr hässliche) Unterschiede... (aus eigener Erfahrung :mrgreen: )
...Nur so als Bemerkung halt bevor da gleich 50 Platinen aufgelegt werden, da es hier ja doch ernstes Interesse zu geben scheint 
MFG
Herstellungsbedingt hat jeder Mosfet eine andere Gate-Source-Schwellspannung (Locker bis zu 2V Differenz je nach Typ). Die einzelnen Exemplare streuen so stark, dass man in der Regel 1/3 mehr kauft als man braucht und diese dann nach der G-S-Schwellspannung sortiert, so dass man nur solche parallelschaltet die möglichst geringe Unterschiede in der Schwellspannung aufweisen. Sonst teilen sie sich den Strom ja nicht richtig auf... Da sie aber auch nach dem Sortieren nur ähnlich sind „bügeln“ die Widerstände das aus.
Bei Bipolar seh ichs ja ein, zwecks gegenkopplung...
Der Effekt, dem man da entgegenwirkt gibts bei Mosfets doch nicht?
Der „On“-Widerstand zwischen Drain und Source nimmt mit steigender Temperatur zu, während die Gate-Source-Schwellspannung mit steigender Temperatur aber abnimmt.
-> Ruhestrom steigt
-> Widerstand auch hier sinnvoll
Bitte korrigiert mich wenn ich irgendwo daneben liege 
Herstellungsbedingt hat jeder Mosfet eine andere Gate-Source-Schwellspannung (Locker bis zu 2V Differenz je nach Typ). Die einzelnen Exemplare streuen so stark, dass man in der Regel 1/3 mehr kauft als man braucht und diese dann nach der G-S-Schwellspannung sortiert, so dass man nur solche parallelschaltet die möglichst geringe Unterschiede in der Schwellspannung aufweisen. Sonst teilen sie sich den Strom ja nicht richtig auf... Da sie aber auch nach dem Sortieren nur ähnlich sind „bügeln“ die Widerstände das aus.
Bei Bipolar seh ichs ja ein, zwecks gegenkopplung...
Der Effekt, dem man da entgegenwirkt gibts bei Mosfets doch nicht?
Der „On“-Widerstand zwischen Drain und Source nimmt mit steigender Temperatur zu, während die Gate-Source-Schwellspannung mit steigender Temperatur aber abnimmt.
-> Ruhestrom steigt
-> Widerstand auch hier sinnvoll
Bitte korrigiert mich wenn ich irgendwo daneben liege
Was nimmt man zum Vorspannen -dürfte ja nicht viel Leistung verbraten...
Kaum Leistung, was man da nimmt... Ein normalen NPN kannst ja auch mal auf http://www.sound.westhost.com ein bisschen gucken, da stehen auch viele Grundlagen. Ich nehm immer ein BDxxx (Genaue Nummer grad nicht zur Hand) ist jedenfalls so einer in einem (ähnlichen) Gehäuse wie ein MJE340. Den kann man dann ganz einfach zu den Leistungstransis auf den Kühlkörper schrauben, wo er auch hingehört...
Was nimmt man zum Vorspannen -dürfte ja nicht viel Leistung verbraten...
Kaum Leistung, was man da nimmt... Ein normalen NPN kannst ja auch mal auf http://www.sound.westhost.com ein bisschen gucken, da stehen auch viele Grundlagen. Ich nehm immer ein BDxxx (Genaue Nummer grad nicht zur Hand) ist jedenfalls so einer in einem (ähnlichen) Gehäuse wie ein MJE340. Den kann man dann ganz einfach zu den Leistungstransis auf den Kühlkörper schrauben, wo er auch hingehört...
Hier ein paar Beispiele was ich gern nehme und was man sonst auch recht häufig antrifft...
Kleinsignaltransis: BC547+BC557
Rauscharme Kleinsignaltransis: BC550+BC560
Kleinsignaltransis für hohe Spannungen: MPSA42+MPSA92; 2N5551+2N5401
Treiber: MJE340+MJE350; MJE15032+MJE15033
Leistung: MJ15015+MJ15016; MJ15024+MJ15025
Ist natürlich nur ne kleine Universal-Auswahl und darf gern erweitert werden!
Datenblätter solltest du problemlos bei google kriegen, aber mit den Teilen hier kommst du schon mal etwas weiter
Hier ein paar Beispiele was ich gern nehme und was man sonst auch recht häufig antrifft...
Kleinsignaltransis: BC547+BC557
Rauscharme Kleinsignaltransis: BC550+BC560
Kleinsignaltransis für hohe Spannungen: MPSA42+MPSA92; 2N5551+2N5401
Treiber: MJE340+MJE350; MJE15032+MJE15033
Leistung: MJ15015+MJ15016; MJ15024+MJ15025
Ist natürlich nur ne kleine Universal-Auswahl und darf gern erweitert werden!
Datenblätter solltest du problemlos bei google kriegen, aber mit den Teilen hier kommst du schon mal etwas weiter
Also ist der second Breakdown sowas wie bei parallelgeschalteten Transistoren passiert
(|:einer mehr Strom ->wärmer->ube kleiner ->noch mehr Strom:|), nur intern, zwischen den Fingern
Genau. Das mit dem Spannungsabfall in der Basis-Schicht passiert immer. Nur ab einer bestimmten Leistung wird’s kritisch weil die Wärme nicht mehr abgeführt werden kann.
Tolle Gehäuse 5mm Alu-Frontplatte solide wie mans halt vor 25 Jahren...
Im Profi-Conrad gibt’s jetzt übrigens auch neue 19“ Gehäuse. Gute Qualität, nicht mehr diese alten Stahlblech-Billig-Schrottkisten wo die Schraublöcher so versetzt waren dass man selbst nachbohren musste...
...der rest tut ja noch Klanreglung...
Wenns wirklich 20Jahre alt ist: Elkos trocknen z.B. aus... uvm...
Das Hifi-Zeug von damals ist zwar fast jeder heutigen „Alles-in-einer-Kiste-Hüttenanlage“ :twisted: aus Fernost meilenweit überlegen, aber wenn’s was halbwegs professionelles werden soll: Raus damit 
Projekt3a ist OK dafür und die Endtransi-Schaltung aus Projekt12 kannste dafür nehmen. Nur halt den einstellbaren Ruhestrom mitnehmen...
Ob das Funzt:
Bei nur 60V Uce solltest du mit deinen beiden Betriebsspannungen +/-25V nicht überschreiten... Dann kriegst du vielleicht 20Vs-21Vs in 4 Ohm, also ca. 50W RMS, dass ist NIX :cry: . Da brauchste wohl auch keine Parallelschaltung.
Gibt halt heut viel bessere Transis. Ich würd die Dinger nicht verbauen...
Also ist der second Breakdown sowas wie bei parallelgeschalteten Transistoren passiert
(|:einer mehr Strom ->wärmer->ube kleiner ->noch mehr Strom:|), nur intern, zwischen den Fingern
Genau. Das mit dem Spannungsabfall in der Basis-Schicht passiert immer. Nur ab einer bestimmten Leistung wird’s kritisch weil die Wärme nicht mehr abgeführt werden kann.
Tolle Gehäuse 5mm Alu-Frontplatte solide wie mans halt vor 25 Jahren...
Im Profi-Conrad gibt’s jetzt übrigens auch neue 19“ Gehäuse. Gute Qualität, nicht mehr diese alten Stahlblech-Billig-Schrottkisten wo die Schraublöcher so versetzt waren dass man selbst nachbohren musste...
...der rest tut ja noch Klanreglung...
Wenns wirklich 20Jahre alt ist: Elkos trocknen z.B. aus... uvm...
Das Hifi-Zeug von damals ist zwar fast jeder heutigen „Alles-in-einer-Kiste-Hüttenanlage“ :twisted: aus Fernost meilenweit überlegen, aber wenn’s was halbwegs professionelles werden soll: Raus damit
Projekt3a ist OK dafür und die Endtransi-Schaltung aus Projekt12 kannste dafür nehmen. Nur halt den einstellbaren Ruhestrom mitnehmen...
Ob das Funzt:
Bei nur 60V Uce solltest du mit deinen beiden Betriebsspannungen +/-25V nicht überschreiten... Dann kriegst du vielleicht 20Vs-21Vs in 4 Ohm, also ca. 50W RMS, dass ist NIX :cry: . Da brauchste wohl auch keine Parallelschaltung.
Gibt halt heut viel bessere Transis. Ich würd die Dinger nicht verbauen...
Ein Mosfet-Fan?
Ja, aber nicht wie in den ganzen Schaltplänen zu den Websites dich ich dir da zitiert habe. Meine Amps sehen ziemlich anders aus.
Was ist SOA?
=Safe-Operating-Area
x-Achse: Spannung zwischen Kollektor und Emitter
y-Achse: Strom
Dann sind da mehrere Kurven eingezeichnet. Die Diagrammfläche zwischen x-Achse, y-Achse und Kurve enthält dann all jene Arbeitspunkte in denen der Transistor dauernd oder für eine gewisse kurze Zeitspanne betrieben werden darf.
Was ist second Breakdown?
Nach oben ist die SOA durch den maximalen Strom begrenzt und nach rechts durch die maximal erlaubte Kollektor-Emitter-Spannung. Rechts oben dann durch die maximal erlaubte Verlustleistung. Bei Bipolar-Transis wird dies dann rechts-mitte durch einen weiteren Bereich begrenzt, wo es zum sogenannten zweiten Durchbruch kommen kann. Bei sehr hohen Spannungen ist also nicht mehr die max. Verlustleistung die Grenze.
was passiert da halbleitertechnisch?
Zwischen Kollektor und Emitter sitzt die Basis-Schicht, die ist sehr großflächig und in einem Punkt kontaktiert und hat auch einen Widerstand. Fließt jetzt ein hoher Basis-Strom, dann kommt es zu einem Spannungsabfall, je weiter man sich von der Kontaktierung entfernt. Das führt dazu, dass in der Nähe der Kontaktierung eine höhere Basis-Emitter-Spannung herrscht als weit entfernt von der Kontakierung. Damit fließt in der Nähe der Kontaktierung auch ein deutlich höherer Kollektorstrom
-> Hier wird mehr Hitze produziert als an anderen Stellen
-> B-E-Spannung sinkt lokal in diesem Bereich
-> noch mehr Hitze, die nicht schnell genug abgefährt werden kann
-> Bumms
Was ist Hex bei den Hexfets?
Das ist ein Hinweis auf die Bauart, es gibt z.B. VFET’s und Säulen-MOSFETS (Coolmos)
Anbei Der 2N3055 hat 115W Verlustleistung und 60V Uce
OK, die Tabelle war von einem TIP3055... :oops:
Hast Du auch mal nen D-Amp gebaut?
nein, davon halte ich nicht so viel, da so was konventionellen Designs bei Mitten und Höhen meistens unterlegen ist.
Ein Mosfet-Fan?
Ja, aber nicht wie in den ganzen Schaltplänen zu den Websites dich ich dir da zitiert habe. Meine Amps sehen ziemlich anders aus.
Was ist SOA?
=Safe-Operating-Area
x-Achse: Spannung zwischen Kollektor und Emitter
y-Achse: Strom
Dann sind da mehrere Kurven eingezeichnet. Die Diagrammfläche zwischen x-Achse, y-Achse und Kurve enthält dann all jene Arbeitspunkte in denen der Transistor dauernd oder für eine gewisse kurze Zeitspanne betrieben werden darf.
Was ist second Breakdown?
Nach oben ist die SOA durch den maximalen Strom begrenzt und nach rechts durch die maximal erlaubte Kollektor-Emitter-Spannung. Rechts oben dann durch die maximal erlaubte Verlustleistung. Bei Bipolar-Transis wird dies dann rechts-mitte durch einen weiteren Bereich begrenzt, wo es zum sogenannten zweiten Durchbruch kommen kann. Bei sehr hohen Spannungen ist also nicht mehr die max. Verlustleistung die Grenze.
was passiert da halbleitertechnisch?
Zwischen Kollektor und Emitter sitzt die Basis-Schicht, die ist sehr großflächig und in einem Punkt kontaktiert und hat auch einen Widerstand. Fließt jetzt ein hoher Basis-Strom, dann kommt es zu einem Spannungsabfall, je weiter man sich von der Kontaktierung entfernt. Das führt dazu, dass in der Nähe der Kontaktierung eine höhere Basis-Emitter-Spannung herrscht als weit entfernt von der Kontakierung. Damit fließt in der Nähe der Kontaktierung auch ein deutlich höherer Kollektorstrom
-> Hier wird mehr Hitze produziert als an anderen Stellen
-> B-E-Spannung sinkt lokal in diesem Bereich
-> noch mehr Hitze, die nicht schnell genug abgefährt werden kann
-> Bumms
Was ist Hex bei den Hexfets?
Das ist ein Hinweis auf die Bauart, es gibt z.B. VFET’s und Säulen-MOSFETS (Coolmos)
Anbei Der 2N3055 hat 115W Verlustleistung und 60V Uce
OK, die Tabelle war von einem TIP3055... :oops:
Hast Du auch mal nen D-Amp gebaut?
nein, davon halte ich nicht so viel, da so was konventionellen Designs bei Mitten und Höhen meistens unterlegen ist.
...Uralten 2N3055...
Die taugen nix, jedenfalls nicht für viel Leistung. Nach einer meiner Tabellen: Um die 70V Uce, von denen man natürlich auch noch weit weg bleiben sollte und bloß 90W Pmax 
...
SOA auch klein: Bei 50V Versorgungsspannung bist du an 4Ohm mit zwei Transis parallel schon außerhalb der SOA.
Ist eigentlich ne Stromquelle besser als ne Bootstrap
Ich würde Bootstrap vorziehen, ist einfacher. Das beste ist natürlich oben und unten Transi-Treiber mit Stromspiegel und allem drum und dran. Etwas mehr Aufwand, aber deutlich besseres Ergebnis .
Guck mal hier :shock: , das sind schöne Teile und auch ganz simpel aufzubauen und gut Dokumentiert:
http://www.aussieamplifiers.com/downloads/Updated%20AV400.pdf
Hier noch besser, weil extra Treiber für die Gates (Umladen kann eine Menge Strom fressen):
http://www.aussieamplifiers.com/downloads/AV80…%2003022004.pdf
Ich würd dir den 800W-Amp empfehlen, der sieht gut aus. Wenn du nicht so viel Leistung brauchst kannste auch (viel) weniger Mosfets bei kleinerem Ub nehmen. Fairchild FQAxxx-Fetties gehen alternativ auch.
Hier kannste dich auch mal umsehen:
http://www.sound.westhost.com/projects-1.htm
(insbesondere den MOSFET-Power-Amp Prj. Nr. 101)
Ich habe von den hieraufgeführten Teilen aber noch keins selbst gabaut, ich koche da immer meine eigene Suppe... Die sehen aber ganz "seriös" aus
Und bitte keine Reichelt-Teile nehmen dann ist das von vorn herein zum Scheitern verurteilt außer dir reichen 40-50Watt :? . Warum kein Reichelt steht hier in einigen Threads. Auf der sound.westhost-Seite steht glaubeich auch ein Artikel zu der „Fake-Problematik“
MFG
...Uralten 2N3055...
Die taugen nix, jedenfalls nicht für viel Leistung. Nach einer meiner Tabellen: Um die 70V Uce, von denen man natürlich auch noch weit weg bleiben sollte und bloß 90W Pmax ...
SOA auch klein: Bei 50V Versorgungsspannung bist du an 4Ohm mit zwei Transis parallel schon außerhalb der SOA.
Ist eigentlich ne Stromquelle besser als ne Bootstrap
Ich würde Bootstrap vorziehen, ist einfacher. Das beste ist natürlich oben und unten Transi-Treiber mit Stromspiegel und allem drum und dran. Etwas mehr Aufwand, aber deutlich besseres Ergebnis .
Guck mal hier :shock: , das sind schöne Teile und auch ganz simpel aufzubauen und gut Dokumentiert:
http://www.aussieamplifiers.com/downloads/Updated%20AV400.pdf
Hier noch besser, weil extra Treiber für die Gates (Umladen kann eine Menge Strom fressen):
http://www.aussieamplifiers.com/downloads/AV80…%2003022004.pdf
Ich würd dir den 800W-Amp empfehlen, der sieht gut aus. Wenn du nicht so viel Leistung brauchst kannste auch (viel) weniger Mosfets bei kleinerem Ub nehmen. Fairchild FQAxxx-Fetties gehen alternativ auch.
Hier kannste dich auch mal umsehen:
http://www.sound.westhost.com/projects-1.htm
(insbesondere den MOSFET-Power-Amp Prj. Nr. 101)
Ich habe von den hieraufgeführten Teilen aber noch keins selbst gabaut, ich koche da immer meine eigene Suppe... Die sehen aber ganz "seriös" aus
Und bitte keine Reichelt-Teile nehmen dann ist das von vorn herein zum Scheitern verurteilt außer dir reichen 40-50Watt :? . Warum kein Reichelt steht hier in einigen Threads. Auf der sound.westhost-Seite steht glaubeich auch ein Artikel zu der „Fake-Problematik“
MFG
Folgendes Ausmessen:
Spannung, Durchmesser, Bauhöhe, Gewicht und Drahtquerschnitt
...und dann in einen Conrad-Katalog oder sonstwas gucken was die Teile mit ähnlichen Abmessungen und Spannungsanzapfungen so bringen
Folgendes Ausmessen:
Spannung, Durchmesser, Bauhöhe, Gewicht und Drahtquerschnitt
...und dann in einen Conrad-Katalog oder sonstwas gucken was die Teile mit ähnlichen Abmessungen und Spannungsanzapfungen so bringen
T19 holt sich den Saft über den Widerstand R40 und D14 um damit die Basen der Endtransistoren zu speisen. Bei nur sehr geringer Aussteuerung fließt der ganze Strom durch den R40 und der Spannungsabfall reicht an dem R noch nicht aus, dass auch was durch die Diode fließt (ausser ein paar uA :mrgreen: wg. Schwellspannung). Da das alles im Emitterzweig von T19 liegt wirkt es jetzt so ein bisschen als Gegenkopplung. Erst wenn man stärker aussteuert fließt viel Strom in den Emitter von T19 und die Diode wird leitend, da der Spannungsabfall am R groß wird. Dann ist die Gegenkopplung weg, da die Diode nur einen sehr kleinen differentiellen Widerstand hat.
Aber trotzdem Achtung:
Du scheinst dich mit dem Ding genauer zu befassen, nachbauen würde ich den aber nicht 
Der hat nicht mal eine Konstantstromquelle vorn bei T9 und T10 und man kann auch keinen Ruhestrom vernünftig einstellen, da ist ja nur diese Sparversion mit D9A, D6 und D11.
Auch der „Balanced Input“ kann so nicht wirklich funktionieren (ich gehe mal davon aus, dass IC1 wirklich ein ganz normaler OP ist, steht ja leider nicht viel dran an den Teilen).
Kein Kondensator zur DC Entkopplung in der Eingangsstufe und noch einige Macken mehr...
T19 holt sich den Saft über den Widerstand R40 und D14 um damit die Basen der Endtransistoren zu speisen. Bei nur sehr geringer Aussteuerung fließt der ganze Strom durch den R40 und der Spannungsabfall reicht an dem R noch nicht aus, dass auch was durch die Diode fließt (ausser ein paar uA :mrgreen: wg. Schwellspannung). Da das alles im Emitterzweig von T19 liegt wirkt es jetzt so ein bisschen als Gegenkopplung. Erst wenn man stärker aussteuert fließt viel Strom in den Emitter von T19 und die Diode wird leitend, da der Spannungsabfall am R groß wird. Dann ist die Gegenkopplung weg, da die Diode nur einen sehr kleinen differentiellen Widerstand hat.
Aber trotzdem Achtung:
Du scheinst dich mit dem Ding genauer zu befassen, nachbauen würde ich den aber nicht
Der hat nicht mal eine Konstantstromquelle vorn bei T9 und T10 und man kann auch keinen Ruhestrom vernünftig einstellen, da ist ja nur diese Sparversion mit D9A, D6 und D11.
Auch der „Balanced Input“ kann so nicht wirklich funktionieren (ich gehe mal davon aus, dass IC1 wirklich ein ganz normaler OP ist, steht ja leider nicht viel dran an den Teilen).
Kein Kondensator zur DC Entkopplung in der Eingangsstufe und noch einige Macken mehr...
Ja, die gehören unbedingt in den Emitter im Collector machen sie keinen Sinn. Bei unterschiedlich starker Erwährmung und herstellungsbedingten Toleranzen (z.B. Stromverstärkung) würden die sich den Strom nicht mehr gleichmäßig aufteilen.
Habe das in einem anderen Thread wo dieser Schaltplan zitiert wurde auch schon gepostet, ist aber irgendwie von euch überlesen worden.
Zur dimensionierung:
0,22 Ohm ist immer OK
oder
0,1Ohm und zusätzlich für jeden Transi einen 1Ohm Basis-R
mache ich immer so und läuft bestens!
MFG
