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Aussie Amplifiers AV1000 Bauteile

  • tobias15031503
  • 28. Januar 2008 um 21:06
  • tobias15031503
    Beiträge
    13
    • 28. Januar 2008 um 21:06
    • #1

    Hallo,

    habe vor mir den AV1000 von Aussie Amplifiers zu bauen. Allerdings sind die Bauteile die dort verwendet werden nicht mehr die aktuellsten. Nun hoffe ich, dass mir jemand sagen könnte welche Vergleichstypen es für folgende Bauteile gibt, die ich bei Reichelt, Conrad oder Farnell bezeihen kann.

    - 2SC2240 (Vergleichstypen: 2SC1845 2SC2389 2SC2544 2SC2088)
    - 1N4744 (Zenerdiode 15V 1W) bei Reichelt ZD 15 1.3W
    - BD681
    - 2SC3298 (Vergleichstyp: 2SA1306)
    - 2SA1306

    Die Vergleichstypen habe ich im Elektronik Kompendium gefunden. Kann ich aber allesamt nicht bei Farnell oder Conrad finden. Für den BD681 kann ich überhaupt keinen Vergleichstyp finden. Bei der Zenerdiode von Reichelt bin ich mir nicht sicher ob sie verwenden kann, denke aber schon.
    Die Bauteile müssen nicht Pinkompatibel sein, da ich das Layout sowieso neu erstellen will, allerdings sollten sie gleiche Werte aufweisen.

    Bin um jeden Tip dankbar.

    MFG
    tobias15031503

  • sparbrötchen
    Beiträge
    274
    • 30. Januar 2008 um 10:04
    • #2

    Zu deiner Frage

    2 SC 2240 - 2SA 970, ist Standard, ebenso das andere Zeug, da brauchst keine Vergleichstypen, allerdings ist es inzwischen in Deutschland sehr schwierig jemand zu finden der dir das liefert. Versuchs bei Spoerle, Segor Berlin oder Elektronik Schmitt in Mainz, der hat fast alles.

    Ob dich Spoerle beliefert weiss ich nicht, HST ler (Hobby Service Techniker) wollen die nicht, wir kaufen zu wenig und stellen zu viel Fragen... !

    Segor oder Elektronik Schmitt kein Problem

    Farnell keine Ahnung, hab da noch nie bestellt, Reichelt, Conrad vergiss es. Bevor Du Reichelt Beuteile einsetzt frag erst mal die anderen im Forum mehr sag ich nicht !!!!!

    Das Design vom AV1000 ist nicht so gut. Wenn Du es für PA einsetzen willst musst Du einiges ändern.

    Für höhere Railsspannungen +/- 95 Volt mit höheren Ausgangsleistungen ist das Problem einen brauchbaren P Mosfet mit mehr als 200 Volt zu finden.

    Es gibt meiner Kenntnis nach dafür nur 2 brauchbare P - Mosfets

    1. einen Lateral Mosfet mit 250 Volt den Du nicht bezahlen kannst oder willst Exicon von Profusion aus England bzw. Magnatec ebenfalls aus England ca. 15 EUR Stück fängt mit ECF oder BUZ an genaue Bezeichung weiss ich nicht mehr und der RDS on ist sehr hoch > 1 OHM, Magnatec baut die für Exicon , die die Teile dann unter dem eigenen Label weiterverkaufen

    2. Einen Vertical Industrie P Typ Mosfet mit 500 Volt - 300 Watt und 12 A den Du bezahlen kannst 2,80 EUR/Stueck und bestimmt gerne haben willst , der 500 Volt N TYP mit 300 Watt kostet 1,80 EUR aber bei keinem Distributor bestellen kannst.

    Mit etwas Glück hab ichs dann beim Hersteller doch noch zu ner Bemusterung geschafft. Uns Audio Hobby Bastler oder HST ler (Hobby Service Techniker) wollen die aber ebenfalls nicht, wir kaufen zu wenig und stellen zu viel Fragen... !

    Ich empfehel Dir der den Nachfolger NX1000NL von Aussie mit einer zu bauen.

    Übrigens der Sound vom Mosfet Amp, ist wirklich genial, Fullrange PA kommt richtig geil damit, hab hier so ein Selbstbau Teil laufen willst ein paar Bilder haben ?

    Bin gerade dabei in meinem Design was zu ändern um ausschliesslich N Mosfets einsetzen zu können und dann +/- 160 Volt drauf gibs ihm....

    Wenn Du noch Fragen hast mail mir


    ------------------------------------------
    PS: Abends werden die faulen fleissig

  • tobias15031503
    Beiträge
    13
    • 30. Januar 2008 um 18:59
    • #3

    Danke für deine Antwort.
    Den NX1000NL hab ich mir auch mal angesehen, habe aber leider keine Schaltpläne dafür. Will vorallem keine fertigen Platinen kaufen, wie es sie vom NX1000NL gibt, sondern ein eigenes Layout erstellen.
    Würd mich freuen wenn du mir die Bilder schicken könntest. Falls du auch den Schaltplan für den NX1000NL hättest könntest du ihn mir bitte auch mitschicken?.

    Die Idee mit den N-Mosfets ist natürlich nicht schlecht. Wie weit bist du denn mit der Änderung am Design?

    danke nochmal

    MFG
    tobias15031503

    tobias1503@googlemail.com

  • sparbrötchen
    Beiträge
    274
    • 4. Februar 2008 um 19:32
    • #4

    Neues Design bei Mosfet Amps ist keine gute Idee, der Entwickler hat sich schon was dabei gedacht, wenn Du Pech hast schwingt das Teil, übernimm es möglichst 1: 1.

    Die richtige Anordung der Bauteile ist wichtig sonst Schwingneigung, Du tust Dir mit neuem Design keinen Gefallen ausser sinnlosen Kosten und Frust wenn Du einen Fehler gemacht hast.

    Ich finde ausserdem dass in Aussies Design aktives Bias Control mit Temperatur Tracking fehlt, manche sagen man braucht das nicht bei Mosfet Amps, ich bin da aber anderer Meinung wenn Du das Ding bei +/- 100 Volt an der Clipgrenze fahren willst.

    Klanglich wirst du einen druckvollen warmen und glasklaren Sound wie von einem Röhren Amp haben, an den viele Bipolare Amps nicht herankommen, die Arbeit lohnt sich.

    Hast Du Erfahrung mit High Power Endstufen ?

  • manuela
    Beiträge
    9.103
    • 5. Februar 2008 um 12:40
    • #5

    gugg mal in die Sheets von den Fetties (Temperaturkurve) dann weist du warum man das nicht immer benötigt :)

    die Feuerzeuge der Gäste sind kleine Sterne die am Himmel unseres Alltags weiterleuchten.

  • sparbrötchen
    Beiträge
    274
    • 17. Februar 2008 um 21:56
    • #6

    Hab das hier gefunden:

    The negative temperature coefficient
    does not in itself guarantee the
    device is indestructible. While this characteristic
    eliminates the second breakdown
    mechanism. In many applications the power
    mosfet will exhibit greater linearity than
    bipolar devices. An important exception
    to this is when the device is used as a
    follower driven by a low impedance
    source.

    Their simple low current circuitry
    eliminates the need for driver
    transistors.
    They are immune to
    the second breakdown phenomenon
    which robs bipolar transistors of their
    power rating at higher voltages. This
    breakdown results from the positive
    temperature coefficient which encourages
    local current hogging within a
    area on the chip, so that at higher
    voltages one small part of the transistor
    tends to do most of the work, resulting
    in more probable failure. In a power
    mosfet the temperature coefficient is
    negative, and energy dissipates more
    evenly across the surface of the chip,
    allowing full power application at the
    highest rated voltage. This characteristic
    also avoids the bipolar design problem
    of thermal bias runaway, and eliminates
    costly compensations to maintain reliable
    operation over a range of conditions

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